可采用排胶与烧结一体炉结构，减少工序切换，提升处理效率，配备可调控的升温速率及排气量，确保排胶过程中有机物充分分解（如PVB树脂、DOP等），防止烧结分层或开裂。设备温度覆盖1100℃—1300℃，可满足氮化铝基板、MLCC瓷体等材料的预烧及烧结需求，同时支持流延成型基板的一体化排胶烧结工艺。适用于镍/铜电极材料的差异化温度设定以及磁性材料的高温预烧，优化材料性能，并支持氮化硅、介质陶瓷等功能性陶瓷的排胶、烧结工艺。